CVD SIC

Úvod do povlaků z karbidu křemíku 

Náš povlak z karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou chemického nanášení z plynné fáze (CVD) je vysoce odolná a otěruvzdorná vrstva, ideální pro prostředí vyžadující vysokou odolnost proti korozi a teplu.Povlak z karbidu křemíkuse nanáší v tenkých vrstvách na různé substráty procesem CVD a nabízí vynikající výkonnostní vlastnosti.


Klíčové vlastnosti

       ● -Výjimečná čistota: Pyšní se ultračistým složením99,99995 %, našeSiC povlakminimalizuje rizika kontaminace v citlivých polovodičových operacích.

● -Vynikající odolnostVykazuje vynikající odolnost proti opotřebení i korozi, díky čemuž je ideální pro náročné chemické a plazmové aplikace.
● -Vysoká tepelná vodivostDíky svým vynikajícím tepelným vlastnostem zajišťuje spolehlivý výkon i za extrémních teplot.
● -Rozměrová stabilitaDíky nízkému koeficientu tepelné roztažnosti si zachovává strukturální integritu v širokém rozsahu teplot.
● -Zvýšená tvrdostS tvrdostí40 GPa, náš SiC povlak odolává značnému nárazu a oděru.
● -Hladký povrchPoskytuje zrcadlový povrch, snižuje tvorbu částic a zvyšuje provozní efektivitu.


Aplikace

Semicera SiC povlakyse používají v různých fázích výroby polovodičů, včetně:

● -Výroba LED čipů
● -Výroba polykrystalického křemíku
● -Růst polovodičových krystalů
● -Křemíková a SiC epitaxe
● -Tepelná oxidace a difúze (TO&D)

 

Dodáváme komponenty s povlakem SiC vyrobené z vysokopevnostního izostatického grafitu, uhlíku vyztuženého uhlíkovými vlákny a rekrystalizovaného karbidu křemíku 4N, určené pro reaktory s fluidním ložem.Převodníky STC-TCS, reflektory CZ jednotek, lodička pro destičky SiC, lopatka pro destičky SiC, trubice pro destičky SiC a nosiče destiček používané v procesech PECVD, křemíkové epitaxi a MOCVD.


Výhody

● -Prodloužená životnostVýrazně snižuje prostoje zařízení a náklady na údržbu, čímž zvyšuje celkovou efektivitu výroby.
● -Vylepšená kvalitaDosahuje vysoce čistých povrchů nezbytných pro zpracování polovodičů, a tím zvyšuje kvalitu výrobků.
● -Zvýšená efektivitaOptimalizuje tepelné a CVD procesy, což vede ke kratším dobám cyklů a vyšším výtěžkům.


Technické specifikace
     

● -StrukturaFCC β fáze polykrystalická, převážně orientovaná (111)
● -Hustota: 3,21 g/cm³
● -TvrdostTvrdost dle Vickese 2500 (zatížení 500 g)
● -Lomová houževnatost: 3,0 MPa·m1/2
● -Koeficient tepelné roztažnosti (100–600 °C)4,3 × 10-6k-1
● -Modul pružnosti (1300 °C):435 GPA
● -Typická tloušťka filmu:100 µm
● -Drsnost povrchu:2–10 µm


Údaje o čistotě (měřeno hmotnostní spektroskopií s doutnavým výbojem)

Živel

ppm

Živel

ppm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Al

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Využitím špičkové technologie CVD nabízíme přizpůsobenéŘešení povlaků SiCabychom uspokojili dynamické potřeby našich klientů a podpořili pokrok ve výrobě polovodičů.

 

123456Další >>> Strana 1 / 12