Společnost Semicera dodává specializované povlaky z karbidu tantalu (TaC) pro různé součásti a nosiče.Špičkový proces povlakování od společnosti Semicera umožňuje dosáhnout vysoké čistoty, vysoké teplotní stability a vysoké chemické tolerance povlaků z karbidu tantalu (TaC), což zlepšuje kvalitu krystalů SIC/GAN a vrstev EPI.Grafitem potažený susceptor TaC) a prodloužení životnosti klíčových součástí reaktoru. Použití povlaku TaC z karbidu tantalu řeší problém s hranami a zlepšuje kvalitu růstu krystalů a společnost Semicera Semicera průlomově vyřešila technologii povlakování karbidem tantalu (CVD) a dosáhla tak mezinárodně pokročilé úrovně.
Po letech vývoje společnost Semicera dobyla technologiiCVD TaCdíky společnému úsilí oddělení výzkumu a vývoje. V procesu růstu SiC destiček se snadno vyskytují vady, ale po použitíTaC, rozdíl je významný. Níže je uvedeno srovnání destiček s TaC a bez něj, stejně jako součástky Simicera pro růst monokrystalů
s TaC a bez něj
Po použití TaC (vpravo)
Kromě toho je životnost povlaků TaC od společnosti Semicera delší a odolnější vůči vysokým teplotám než u povlaků SiC. Po dlouhé době laboratorních měření dat může náš TaC pracovat dlouhodobě při maximální teplotě 2300 stupňů Celsia. Následuje několik našich vzorků:
(a) Schéma zařízení pro pěstování ingotů z monokrystalů SiC metodou PVT (b) Horní držák semen s povlakem TaC (včetně semen SiC) (c) Vodicí kroužek z grafitu s povlakem TAC






