Prsten s povlakem z karbidu tantalu

Stručný popis:

Povlak z karbidu tantalu je pokročilá technologie povrchové úpravy, která využívá karbid tantalu k vytvoření tvrdé, otěruvzdorné a korozivzdorné ochranné vrstvy na povrchu substrátu. Tento povlak má vynikající vlastnosti, které výrazně zvyšují tvrdost materiálu, jeho odolnost vůči vysokým teplotám a chemickou odolnost a zároveň snižují tření a opotřebení. Povlaky z karbidu tantalu se široce používají v různých oblastech, včetně průmyslové výroby, letectví, automobilového inženýrství a lékařských zařízení, k prodloužení životnosti materiálu, zlepšení efektivity výroby a snížení nákladů na údržbu. Ať už se jedná o ochranu kovových povrchů před korozí nebo o zvýšení odolnosti mechanických součástí proti opotřebení a oxidaci, povlaky z karbidu tantalu poskytují spolehlivé řešení pro řadu aplikací.

 


Detaily produktu

Štítky produktů

Společnost Semicera dodává specializované povlaky z karbidu tantalu (TaC) pro různé součásti a nosiče.Špičkový proces povlakování od společnosti Semicera umožňuje dosáhnout vysoké čistoty, vysoké teplotní stability a vysoké chemické tolerance povlaků z karbidu tantalu (TaC), což zlepšuje kvalitu krystalů SIC/GAN a vrstev EPI.Grafitem potažený susceptor TaC) a prodloužení životnosti klíčových součástí reaktoru. Použití povlaku TaC z karbidu tantalu řeší problém s hranami a zlepšuje kvalitu růstu krystalů a společnost Semicera Semicera průlomově vyřešila technologii povlakování karbidem tantalu (CVD) a dosáhla tak mezinárodně pokročilé úrovně.

 

Po letech vývoje společnost Semicera dobyla technologiiCVD TaCdíky společnému úsilí oddělení výzkumu a vývoje. V procesu růstu SiC destiček se snadno vyskytují vady, ale po použitíTaC, rozdíl je významný. Níže je uvedeno srovnání destiček s TaC a bez něj, stejně jako součástky Simicera pro růst monokrystalů

微信图片_20240227150045

s TaC a bez něj

微信图片_20240227150053

Po použití TaC (vpravo)

Kromě toho je životnost povlaků TaC od společnosti Semicera delší a odolnější vůči vysokým teplotám než u povlaků SiC. Po dlouhé době laboratorních měření dat může náš TaC pracovat dlouhodobě při maximální teplotě 2300 stupňů Celsia. Následuje několik našich vzorků:

微信截图_20240227145010

(a) Schéma zařízení pro pěstování ingotů z monokrystalů SiC metodou PVT (b) Horní držák semen s povlakem TaC (včetně semen SiC) (c) Vodicí kroužek z grafitu s povlakem TAC

ZDFVzCFV
Hlavní rys
Pracoviště Semicera
Pracoviště Semicera 2
Strojní zařízení
Zpracování CNN, chemické čištění, CVD povlakování
Naše služby

  • Předchozí:
  • Další: