-
Vysvětlení lepení SiC destiček
Spojování SiC destiček: Metody, použití a výzvy Dva destičky mohou vypadat dokonale ploché a přesto se odmítají spolehlivě spojit. V důležitém měřítku rozhoduje o tom, zda se kontakt stane odolným rozhraním, chemie povrchu, drsnost atomů, částice a zachycené plyny. Karbid křemíku zvyšuje obtíže...Číst dále -
Zakázkové řezání malých obdélníkových křemíkových destiček: Jak nizozemská optická společnost vyvážila nízké odlupování a nízkou drsnost u 10 nestandardních destiček
Základní shrnutí: Nizozemská spin-off optického výzkumu si objednala 10 vlastních obdélníkových křemíkových destiček o rozměrech 29,2 mm × 70 mm a tloušťce 230 µm s původním požadavkem na drsnost povrchu 0,1 nm s nulovým odlupováním hran po řezání. Po vyhodnocení technický tým určil tyto dva...Číst dále -
Co je to susceptor s grafitem potaženým SiC?
V rychle se rozvíjejícím polovodičovém průmyslu – poháněném prudkým nárůstem výkonových zařízení s širokopásmovou mezerou (WBG), 5G RF komunikací a pokročilé optoelektroniky – je dosažení ultravysoké čistoty a přesné uniformity atomárních vrstev během růstu krystalů prvořadé. Ve společnosti Semicera se specializujeme na vysoce výkonné...Číst dále -
Proces CVD povlakování: Hloubková analýza principů, aplikací a budoucího vývoje
Uprostřed explozivního růstu výroby nanoměřítkových polovodičů a složených polovodičů (jako je SiC a GaN) existuje často přehlížený „neopěvovaný hrdina“, který určuje výtěžnost čipů a životnost zařízení: proces chemického nanášení z plynné fáze (CVD). Proces nanášení CVD...Číst dále -
Případová studie 6palcového tenkého filmu AlN na bázi křemíku: Jak MOCVD vyřešila problém heteroepitaxního praskání v důsledku napětí？
Shrnutí: Z 500 nm na 100 nm, dodání dle specifikace v jednom průchodu do 3–4 týdnů. Hlavní poznatek: Klient původně požadoval film o tloušťce 500 nm. Nakonec jsme dodali validované, s kontrolou rizik 100 nm řešení – smyslem tohoto případu není jen splnění specifikace, ale…Číst dále -
Jak funguje MOCVD? Průvodce depozicí tenkých vrstev na atomární úrovni
Ⅰ. Úvod Moderní polovodičové součástky se stávají stále výkonnějšími, menšími a energeticky účinnějšími. Za mnoha z těchto inovací stojí vysoce sofistikovaná výrobní technologie, která umožňuje inženýrům vytvářet polovodičové materiály vrstvu po vrstvě v atomovém měřítku — Met...Číst dále -
Vysoce čistý karbid křemíku v prášku: Co to je a proč je to důležité
Úvod Vzhledem k tomu, že polovodičové technologie se neustále vyvíjejí směrem k vyššímu napětí, vyšší frekvenci a provozu za vyšších teplot, stal se karbid křemíku (SiC) jedním z nejdůležitějších polovodičových materiálů s širokým zakázaným pásmem pro elektronická zařízení nové generace. Výkon však...Číst dále -
Co je uhlíkový uhlíkový kompozit CFC? Vlastnosti, aplikace a výhody při výrobě polovodičů
Uhlíkový kompozit, známý také jako C/C kompozit nebo uhlíkový kompozit vyztužený uhlíkovými vlákny, je pokročilý uhlíkový materiál sestávající z uhlíkových vláken zabudovaných do uhlíkové matrice. Na rozdíl od tradičních grafitových materiálů kombinuje CFC vynikající tepelné vlastnosti uhlíku s mechanickými...Číst dále -
Proč je planetární disk z karbidu tantalu zásadní pro moderní polovodičovou epitaxi?
Vzhledem k tomu, že se polovodičová technologie neustále posouvá směrem k větším velikostem destiček, vyšším procesním teplotám a přísnější kontrole kontaminace, jsou požadavky na výkon komponent reaktorů stále náročnější. Mezi tyto kritické komponenty patří planetární snímač z karbidu tantalu (TaC)...Číst dále -
Co dělá tavené křemenné kelímky nezbytnými pro moderní růst polovodičových krystalů?
Neustálý pokrok v polovodičové technologii klade stále přísnější požadavky na čistotu materiálu, tepelnou stabilitu a konzistenci procesu. Zatímco se velká pozornost často věnuje krystalovým stahovačům, epitaxním reaktorům a depozičním zařízením, jednou z nejzákladnějších komponent...Číst dále -
Proč jsou polovodičové grafitové ohřívače klíčové pro růst krystalů SiC a epitaxní procesy
Vzhledem k tomu, že polovodičový průmysl pokračuje v přechodu k pokročilým logickým součástkám, výkonovým polovodičům, složeným polovodičům a materiálům s širokým zakázaným pásmem, procesní teploty se blíží limitům tradičních technických materiálů. Od růstu krystalů křemíku a difúzních procesů...Číst dále -
Proč jsou tavené křemenné kelímky klíčové pro Czochralského (CZ) proces růstu krystalů křemíku
V moderní výrobě polovodičů začíná výkon integrovaných obvodů dlouho před výrobou destiček. Začíná to již během fáze růstu krystalů, kde se pomocí Czochralského (CZ) procesu vyrábějí ingoty z monokrystalického křemíku s ultra vysokou čistotou. Srdcem tohoto procesu je h...Číst dále