Úvod do CVD TaC povlakování:
CVD TaC povlakování je technologie, která využívá chemické nanášení par k nanášení povlaku karbidu tantalu (TaC) na povrch substrátu. Karbid tantalu je vysoce výkonný keramický materiál s vynikajícími mechanickými a chemickými vlastnostmi. Proces CVD vytváří na povrchu substrátu rovnoměrný film TaC reakcí plynu.
Hlavní vlastnosti:
Vynikající tvrdost a odolnost proti opotřebeníKarbid tantalu má extrémně vysokou tvrdost a CVD TaC povlak může výrazně zlepšit odolnost substrátu proti opotřebení. Díky tomu je povlak ideální pro aplikace v prostředích s vysokým opotřebením, jako jsou řezné nástroje a formy.
Stabilita při vysokých teplotáchPovlaky TaC chrání kritické součásti pecí a reaktorů při teplotách až 2200 °C a vykazují dobrou stabilitu. Zachovávají si chemickou a mechanickou stabilitu i za extrémních teplotních podmínek, díky čemuž jsou vhodné pro vysokoteplotní zpracování a aplikace ve vysokoteplotním prostředí.
Vynikající chemická stabilitaKarbid tantalu má silnou odolnost proti korozi vůči většině kyselin a zásad a CVD TaC povlak může účinně zabránit poškození substrátu v korozivním prostředí.
Vysoký bod táníKarbid tantalu má vysoký bod tání (přibližně 3880 °C), což umožňuje použití CVD TaC povlaku za extrémně vysokých teplot bez jeho tavení nebo degradace.
Vynikající tepelná vodivostPovlak TaC má vysokou tepelnou vodivost, která pomáhá efektivně odvádět teplo při vysokoteplotních procesech a zabraňuje lokálnímu přehřátí.
Potenciální aplikace:
• Součásti epitaxních CVD reaktorů z nitridu galia (GaN) a karbidu křemíku, včetně nosičů destiček, satelitních antén, sprchových hlavic, stropních stropů a susceptorů
• Komponenty pro růst krystalů z karbidu křemíku, nitridu galia a nitridu hliníku (AlN) včetně kelímků, držáků semen, vodicích kroužků a filtrů
• Průmyslové komponenty včetně odporových topných těles, vstřikovacích trysek, maskovacích kroužků a pájecích přípravků
Funkce aplikace:
• Teplotně stabilní nad 2000 °C, což umožňuje provoz za extrémních teplot
• Odolný vůči vodíku (Hz), amoniaku (NH3), monosilanu (SiH4) a křemíku (Si), poskytuje ochranu v náročném chemickém prostředí
• Jeho odolnost proti tepelným šokům umožňuje rychlejší provozní cykly
• Grafit má silnou přilnavost, což zajišťuje dlouhou životnost a nedochází k delaminaci povlaku.
• Ultra vysoká čistota pro odstranění zbytečných nečistot nebo kontaminantů
• Konformní povlakování s přísnými rozměrovými tolerancemi
Technické specifikace:
Příprava hustých povlaků z karbidu tantalu metodou CVD：
TAC povlak s vysokou krystalinitou a vynikající uniformitou:
Technické parametry CVD TAC povlaku_Semicera:
| Fyzikální vlastnosti povlaku TaC | |
| Hustota | 14,3 (g/cm³) |
| Objemová koncentrace | 8 x 1015/cm |
| Měrná emisivita | 0,3 |
| Koeficient tepelné roztažnosti | 6,3 10-6/K |
| Tvrdost (HK) | 2000 HK |
| Objemový měrný odpor | 4,5 ohm-cm |
| Odpor | 1x10-5Ohm*cm |
| Tepelná stabilita | <2500℃ |
| Mobilita | 237 cm2/Vs |
| Změny velikosti grafitu | -10~-20um |
| Tloušťka povlaku | Typická hodnota ≥20 μm (35 μm + 10 μm) |
Výše uvedené jsou typické hodnoty.
