Výrobci, dodavatelé a továrny na oplatky v Číně
Co je to polovodičová destička?
Polovodičový wafer je tenký, kulatý plátek polovodičového materiálu, který slouží jako základ pro výrobu integrovaných obvodů (IO) a dalších elektronických zařízení. Wafer poskytuje plochý a jednotný povrch, na kterém se staví různé elektronické součástky.
Výrobní proces destiček zahrnuje několik kroků, včetně pěstování velkého monokrystalu požadovaného polovodičového materiálu, řezání krystalu na tenké destičky diamantovou pilou a následného leštění a čištění destiček za účelem odstranění povrchových vad nebo nečistot. Výsledné destičky mají vysoce plochý a hladký povrch, což je klíčové pro následné výrobní procesy.
Jakmile jsou destičky připraveny, procházejí řadou procesů výroby polovodičů, jako je fotolitografie, leptání, depozice a dopování, aby se vytvořily složité vzory a vrstvy potřebné k výrobě elektronických součástek. Tyto procesy se na jedné destičce několikrát opakují, čímž se vytvoří více integrovaných obvodů nebo jiných zařízení.
Po dokončení výrobního procesu se jednotlivé čipy oddělí nakrájením destičky podél předem definovaných čar. Oddělené čipy se poté zabalí, aby byly chráněny a poskytovaly elektrické spojení pro integraci do elektronických zařízení.
Různé materiály na oplatce
Polovodičové destičky se vyrábějí primárně z monokrystalického křemíku kvůli jeho hojnosti, vynikajícím elektrickým vlastnostem a kompatibilitě se standardními procesy výroby polovodičů. V závislosti na konkrétních aplikacích a požadavcích však lze k výrobě destiček použít i jiné materiály. Zde je několik příkladů:
Karbid křemíku (SiC) je polovodičový materiál s širokým zakázaným pásmem, který nabízí v porovnání s tradičními materiály vynikající fyzikální vlastnosti. Pomáhá zmenšit velikost a hmotnost diskrétních zařízení, modulů a dokonce i celých systémů a zároveň zvýšit účinnost.
Klíčové vlastnosti SiC:
- -Široký pásmový zakázaný pás:Zakázané pásmo SiC je asi třikrát větší než u křemíku, což mu umožňuje pracovat při vyšších teplotách, až do 400 °C.
- -Vysoko kritické průrazné pole:SiC dokáže odolat až desetinásobku elektrického pole oproti křemíku, což je ideální pro vysokonapěťová zařízení.
- -Vysoká tepelná vodivost:SiC efektivně odvádí teplo, pomáhá zařízením udržovat optimální provozní teploty a prodlužuje jejich životnost.
- -Vysoká rychlost driftu elektronů při nasycení:Díky dvojnásobné driftové rychlosti oproti křemíku umožňuje SiC vyšší spínací frekvence, což napomáhá miniaturizaci zařízení.
Aplikace:
-
-Výkonová elektronika:Výkonové součástky SiC vynikají v prostředí s vysokým napětím, vysokým proudem, vysokou teplotou a vysokou frekvencí, což výrazně zvyšuje účinnost přeměny energie. Jsou široce používány v elektromobilech, nabíjecích stanicích, fotovoltaických systémech, železniční dopravě a inteligentních sítích.
-
-Mikrovlnná komunikace:VF zařízení GaN na bázi SiC jsou klíčová pro bezdrátovou komunikační infrastrukturu, zejména pro základnové stanice 5G. Tato zařízení kombinují vynikající tepelnou vodivost SiC s vysokofrekvenčním a výkonným VF výstupem GaN, což z nich činí preferovanou volbu pro vysokofrekvenční telekomunikační sítě nové generace.
Nitrid galia (GaN)je polovodičový materiál třetí generace s velkou šířkou zakázaného pásma, vysokou tepelnou vodivostí, vysokou rychlostí driftu elektronové saturace a vynikajícími charakteristikami průrazného pole. Zařízení GaN mají široké uplatnění ve vysokofrekvenčních, vysokorychlostních a výkonných oblastech, jako je energeticky úsporné LED osvětlení, laserové projekční displeje, elektrická vozidla, inteligentní sítě a 5G komunikace.
Arsenid galia (GaAs)je polovodičový materiál známý pro svou vysokou frekvenci, vysokou mobilitu elektronů, vysoký výkon, nízký šum a dobrou linearitu. Je široce používán v optoelektronickém a mikroelektronickém průmyslu. V optoelektronice se substráty GaAs používají k výrobě LED (světelné diody), LD (laserové diody) a fotovoltaických zařízení. V mikroelektronice se používají při výrobě MESFETů (metal-polovodičové tranzistory s efektem pole), HEMT (tranzistory s vysokou mobilitou elektronů), HBT (hetero-bipolární tranzistory), integrovaných obvodů, mikrovlnných diod a Hallových jevů.
Fosfid india (InP)je jedním z důležitých polovodičových sloučenin III-V, známý pro svou vysokou mobilitu elektronů, vynikající odolnost proti záření a široký rozsah zakázaného pásma. Je široce používán v optoelektronickém a mikroelektronickém průmyslu.
Žádost o cenovou nabídku na oplatky
Zašlete nám materiál vaší destičky, průměr, tloušťku, typ vodivosti, odpor, orientaci krystalu, požadavky na povrch a množství. Semicera posoudí požadovanou konfiguraci a poskytne vám podporu s výběrem produktu a cenovou nabídkou na základě dostupných specifikací.
