4″ 6″ poloizolační SiC substrát

Krátký popis:

Poloizolační SiC substráty jsou polovodičový materiál s vysokým měrným odporem, s měrným odporem vyšším než 100 000 Ω·cm. Poloizolační substráty SiC se používají hlavně k výrobě mikrovlnných RF zařízení, jako jsou mikrovlnná RF zařízení s nitridem galia a tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT). Tato zařízení se používají především v 5G komunikaci, satelitní komunikaci, radarech a dalších oborech.


Detail produktu

Štítky produktu

Semicera 4" 6" poloizolační SiC substrát je vysoce kvalitní materiál navržený tak, aby splňoval přísné požadavky aplikací RF a energetických zařízení. Substrát kombinuje vynikající tepelnou vodivost a vysoké průrazné napětí karbidu křemíku s poloizolačními vlastnostmi, díky čemuž je ideální volbou pro vývoj pokročilých polovodičových součástek.

4" 6" poloizolační SiC substrát je pečlivě vyroben, aby zajistil vysokou čistotu materiálu a konzistentní poloizolační výkon. To zajišťuje, že substrát poskytuje nezbytnou elektrickou izolaci v RF zařízeních, jako jsou zesilovače a tranzistory, a zároveň poskytuje tepelnou účinnost požadovanou pro aplikace s vysokým výkonem. Výsledkem je všestranný substrát, který lze použít v široké řadě vysoce výkonných elektronických produktů.

Semicera si uvědomuje důležitost poskytování spolehlivých, bezchybných substrátů pro kritické polovodičové aplikace. Náš 4" 6" poloizolační SiC substrát se vyrábí pomocí pokročilých výrobních technik, které minimalizují vady krystalů a zlepšují uniformitu materiálu. To umožňuje produktu podporovat výrobu zařízení se zvýšeným výkonem, stabilitou a životností.

Závazek společnosti Semicera ke kvalitě zajišťuje, že náš 4" 6" poloizolační SiC substrát poskytuje spolehlivý a konzistentní výkon v celé řadě aplikací. Ať už vyvíjíte vysokofrekvenční zařízení nebo energeticky účinná řešení napájení, naše poloizolační SiC substráty poskytují základ úspěchu elektroniky nové generace.

Základní parametry

Velikost

6-palcový 4-palcový
Průměr 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 100,0 mm + 0 mm/-0,5 mm
Orientace povrchu {0001}±0,2°
Primární orientace bytu / <1120>±5°
Sekundární Orientace bytu / Křemík lícem nahoru: 90° CW z plochy Prime - 5°
Primární plochá délka / 32,5 mm 士 2,0 mm
Sekundární plochá délka / 18,0 mm až 2,0 mm
Orientace zářezu <1100>±1,0° /
Orientace zářezu 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm /
Úhel zářezu 90°+5°/-1° /
Tloušťka 500,0 um až 25,0 um
Vodivý typ Poloizolační

Informace o křišťálové kvalitě

ltem 6-palcový 4-palcový
Odpor ≥1E9Q·cm
Polytyp Žádné povolené
Mikropipe hustota ≤0,5/cm2 ≤0,3/cm2
Šestihranné desky při vysoké intenzitě světla Žádné povolené
Vizuální uhlíkové inkluze podle vysoké Kumulativní plocha ≤ 0,05 %
4 6 Poloizolační SiC Substrát-2

Odolnost – Testováno bezkontaktním listovým odporem.

4 6 Poloizolační SiC Substrát-3

Mikropipe hustota

4 6 Poloizolační SiC Substrát-4
SiC oplatky

  • Předchozí:
  • Další: