Přizpůsobení produktu z karbidu tantalu s vysokou čistotou

Krátký popis:

TaC povlak je nová generace materiálu odolného vůči vysokým teplotám, s lepší stabilitou vůči vysokým teplotám než SiC, jako povlak odolný proti korozi, povlak odolný proti oxidaci, povlak odolný proti opotřebení, lze použít v prostředí nad 2000 ℃, široce používaný v ultra-kosmickém letectví vysokoteplotní horké koncové části, třetí generace růstu polovodičových monokrystalů a další pole.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Semicera poskytuje specializované povlaky karbidu tantalu (TaC) pro různé součásti a nosiče.Přední proces povlakování Semicera Semicera umožňuje povlakům z karbidu tantalu (TaC) dosáhnout vysoké čistoty, stability při vysokých teplotách a vysoké chemické tolerance, což zlepšuje kvalitu produktu krystalů SIC/GAN a vrstev EPI (TaC susceptor potažený grafitem) a prodloužení životnosti klíčových součástí reaktoru. Použití povlaku karbidu tantalu TaC má vyřešit problém hran a zlepšit kvalitu růstu krystalů a Semicera průlom vyřešila technologii povlakování karbidu tantalu (CVD), čímž dosáhla mezinárodní pokročilé úrovně.

Po letech vývoje si Semicera podmanila technologiiCVD TaCspolečným úsilím oddělení výzkumu a vývoje. Vady se snadno vyskytnou v procesu růstu SiC waferů, ale po použitíTaC, rozdíl je značný. Níže je srovnání destiček s a bez TaC, stejně jako dílů Semicera pro růst monokrystalů

Tac část pro růst monokrystalu

Povlak karbidu tantalu proti opotřebení_ Chrání zařízení před opotřebením a korozí Doporučený obrázek

Grafit s kroužkem potaženým TaC

s a bez TaC

Po použití TaC (vpravo)

Kromě toho je životnost povlakových produktů Semicera TaC delší a odolnější vůči vysokým teplotám než u povlaků SiC. Po dlouhé době laboratorních naměřených dat může náš TaC pracovat po dlouhou dobu při maximálně 2300 stupních Celsia. Níže jsou uvedeny některé z našich vzorků: