Vlastnosti:
Rezistivita keramiky s polovodičovými vlastnostmi je asi 10-5~ 107ω.cm a polovodičové vlastnosti keramických materiálů lze získat dotováním nebo způsobením poruch mřížky způsobených stechiometrickou odchylkou. Keramika využívající tuto metodu zahrnuje TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 a SiC. Různé vlastnostipolovodičová keramikaspočívá v tom, že jejich elektrická vodivost se mění s prostředím, což lze použít k výrobě různých typů keramických citlivých zařízení.
Senzory citlivé na teplo, na plyn, na vlhkost, na tlak, na světlo a další. Polovodičové spinelové materiály, jako je Fe3O4, se mísí s nevodivými spinelovými materiály, jako je MgAl2O4, v řízených pevných roztocích.
MgCr2O4 a Zr2TiO4 lze použít jako termistory, což jsou pečlivě řízená odporová zařízení, která se mění s teplotou. ZnO lze modifikovat přidáním oxidů, jako je Bi, Mn, Co a Cr.
Většina těchto oxidů není pevně rozpuštěna v ZnO, ale vychyluje se na hranici zrn, aby vytvořila bariérovou vrstvu, aby se získaly ZnO varistorové keramické materiály, a je to druh materiálu s nejlepším výkonem ve varistorové keramice.
SiC doping (jako lidské saze, grafitový prášek) lze připravitpolovodičové materiálys vysokou teplotní stabilitou, používané jako různé odporové topné články, to znamená křemíkové uhlíkové tyče ve vysokoteplotních elektrických pecích. Ovládejte měrný odpor a průřez SiC, abyste dosáhli téměř čehokoli požadovaného
Provozní podmínky (až do 1500 °C), zvýšení jeho měrného odporu a zmenšení průřezu topného tělesa zvýší generované teplo. Křemíková uhlíková tyč ve vzduchu proběhne oxidační reakce, použití teploty je obecně omezeno na 1600 ° C níže, běžný typ křemíkové uhlíkové tyče
Bezpečná provozní teplota je 1350°C. V SiC je atom Si nahrazen atomem N, protože N má více elektronů, je zde přebytek elektronů a jeho energetická hladina je blízko spodnímu vodivému pásmu a lze jej snadno zvednout do vodivostního pásma, takže tento energetický stav se také nazývá úroveň dárců, tato polovina
Vodiče jsou polovodiče typu N nebo elektronicky vodivé polovodiče. Pokud je atom Al použit v SiC k nahrazení atomu Si, kvůli nedostatku elektronu je vytvořený materiálový energetický stav blízko pásmu valenčních elektronů výše, je snadné přijmout elektrony, a proto se nazývá akceptant
Hlavní energetická hladina, která zanechává prázdnou pozici ve valenčním pásmu, která může vést elektrony, protože neobsazená pozice působí stejně jako kladný nosič náboje, se nazývá polovodič typu P nebo polovodič typu díra (H. Sarman, 1989).
Čas odeslání: září-02-2023