-
Proces výroby polovodičů – technologie leptání
K přeměně waferu na polovodič jsou zapotřebí stovky procesů. Jedním z nejdůležitějších procesů je leptání – tedy vyřezávání jemných obvodových vzorů na wafer. Úspěch procesu leptání závisí na správě různých proměnných v rámci nastaveného distribučního rozsahu a každé leptání...Přečtěte si více -
Ideální materiál pro ohniskové kroužky v zařízení pro plazmové leptání: Karbid křemíku (SiC)
V zařízeních pro plazmové leptání hrají zásadní roli keramické komponenty, včetně zaostřovacího kroužku. Zaostřovací kroužek umístěný kolem plátku a v přímém kontaktu s ním je nezbytný pro zaostření plazmy na plátek přivedením napětí na kroužek. To posiluje ne...Přečtěte si více -
Front End of Line (FEOL): Položení základů
Přední konec výrobní linky je jako pokládání základů a budování zdí domu. Při výrobě polovodičů tato fáze zahrnuje vytvoření základních struktur a tranzistorů na křemíkové destičce. Klíčové kroky FEOL:...Přečtěte si více -
Vliv zpracování monokrystalu karbidu křemíku na kvalitu povrchu plátku
Polovodičová výkonová zařízení zaujímají klíčovou pozici ve výkonových elektronických systémech, zejména v souvislosti s rychlým rozvojem technologií, jako je umělá inteligence, 5G komunikace a nová energetická vozidla, požadavky na jejich výkon byly...Přečtěte si více -
Klíčový materiál jádra pro růst SiC: povlak z karbidu tantalu
V současné době dominuje třetí generaci polovodičů karbid křemíku. V nákladové struktuře jeho zařízení představuje substrát 47 % a epitaxe 23 %. Oba dohromady tvoří asi 70 %, což je nejdůležitější část výroby zařízení z karbidu křemíku...Přečtěte si více -
Jak produkty potažené karbidem tantalu zvyšují odolnost materiálů proti korozi?
Povlak karbidu tantalu je běžně používaná technologie povrchové úpravy, která může výrazně zlepšit odolnost materiálů proti korozi. Povlak z karbidu tantalu může být připevněn k povrchu substrátu pomocí různých metod přípravy, jako je chemické nanášení par, fyzikální...Přečtěte si více -
Rada pro vědecké a technologické inovace včera vydala oznámení, že Huazhuo Precision Technology ukončila svou IPO!
Právě oznámila dodávku prvního 8palcového SIC laserového žíhacího zařízení v Číně, což je také technologie Tsinghua; Proč materiály sami stáhli? Jen pár slov: Za prvé, produkty jsou příliš rozmanité! Na první pohled nevím, co dělají. V současné době H...Přečtěte si více -
CVD povlak z karbidu křemíku-2
CVD povlak z karbidu křemíku 1. Proč existuje povlak z karbidu křemíku Epitaxní vrstva je specifický monokrystalický tenký film vyrostlý na základě waferu prostřednictvím epitaxního procesu. Substrátový plátek a epitaxní tenký film se souhrnně nazývají epitaxní plátky. Mezi nimi i...Přečtěte si více -
Proces přípravy SIC povlaku
V současnosti metody přípravy povlaku SiC zahrnují především metodu gel-sol, metodu zalévání, metodu nanášení štětcem, metodu plazmového stříkání, metodu chemické reakce v parách (CVR) a metodu chemické depozice z par (CVD). Metoda vkládáníTato metoda je druh vysokoteplotní pevné fáze ...Přečtěte si více -
CVD povlak z karbidu křemíku-1
Co je CVD SiC Chemická depozice z par (CVD) je proces vakuové depozice používaný k výrobě vysoce čistých pevných materiálů. Tento proces se často používá v oblasti výroby polovodičů k vytváření tenkých filmů na povrchu destiček. V procesu přípravy SiC pomocí CVD je substrát exp...Přečtěte si více -
Analýza dislokační struktury v krystalu SiC pomocí simulace sledování paprsků za pomoci rentgenového topologického zobrazování
Pozadí výzkumu Aplikační význam karbidu křemíku (SiC): Karbid křemíku jako polovodičový materiál se širokou pásmovou mezerou přitahuje velkou pozornost díky svým vynikajícím elektrickým vlastnostem (jako je větší šířka pásma, vyšší rychlost nasycení elektronů a tepelná vodivost). Tyto rekvizity...Přečtěte si více -
Proces přípravy očkovacích krystalů při růstu monokrystalů SiC 3
Ověření růstu Zárodečné krystaly karbidu křemíku (SiC) byly připraveny podle nastíněného procesu a ověřeny růstem krystalů SiC. Použitou růstovou platformou byla samovyvinutá SiC indukční růstová pec s růstovou teplotou 2200 ℃, růstovým tlakem 200 Pa a růstovou...Přečtěte si více