Metoda PART/1CVD (Chemical Vapour Deposition): Při 900-2300 °C, s použitím TaCl5 a CnHm jako zdrojů tantalu a uhlíku, H2 jako redukční atmosféry, Ar2 jako nosného plynu, reakční depoziční film. Připravený nátěr je kompaktní, jednotný a vysoce čistý. Existují však určité problémy...
Přečtěte si více