-
Zásadní úloha a případy použití grafitových susceptorů potažených SiC ve výrobě polovodičů
Semicera Semiconductor plánuje celosvětově zvýšit výrobu základních komponent pro zařízení na výrobu polovodičů. Do roku 2027 je naším cílem vybudovat novou továrnu o rozloze 20 000 metrů čtverečních s celkovou investicí 70 milionů USD. Jedna z našich hlavních součástí, nosič z karbidu křemíku (SiC)...Přečtěte si více -
Ideální materiál pro ohniskové kroužky v zařízení pro plazmové leptání: Karbid křemíku (SiC)
V zařízeních pro plazmové leptání hrají zásadní roli keramické komponenty, včetně zaostřovacího kroužku. Zaostřovací kroužek umístěný kolem plátku a v přímém kontaktu s ním je nezbytný pro zaostření plazmy na plátek přivedením napětí na kroužek. To posiluje ne...Přečtěte si více -
Když se skelný uhlík setkává s inovací: Semicera je v čele revoluce v technologii potahování skelným uhlíkem
Skelný uhlík, také známý jako skelný uhlík nebo skelný uhlík, kombinuje vlastnosti skla a keramiky do negrafitického uhlíkového materiálu. Mezi společnosti, které stojí v popředí vývoje pokročilých materiálů ze skelného uhlíku, patří Semicera, přední výrobce specializující se na c...Přečtěte si více -
Průlom v technologii epitaxe karbidu křemíku: Přední cesta ve výrobě křemíkových/karbidových epitaxních reaktorů v Číně
Jsme nadšeni, že můžeme oznámit převratný úspěch v odborných znalostech naší společnosti v technologii epitaxe z karbidu křemíku. Naše továrna je hrdá na to, že je jedním z předních výrobců v Číně schopných vyrábět křemíkové/karbidové epitaxní reaktory. S naším závazkem k výjimečné kvalitě...Přečtěte si více -
Nový průlom: Naše společnost dobývá technologii povlakování karbidu tantalu, aby prodloužila životnost součástí a zlepšila výtěžnost
Zhejiang, 20/10/2023 – V rámci významného kroku směrem k technologickému pokroku naše společnost hrdě oznamuje úspěšný vývoj technologie povlakování karbidu tantalu (TaC). Tento průlomový úspěch slibuje revoluci v tomto odvětví tím, že významně...Přečtěte si více