CVD hromadný karbid křemíku (SiC)
Přehled:CVDobjemný karbid křemíku (SiC)je velmi žádaný materiál v zařízeních pro plazmové leptání, aplikacích rychlého tepelného zpracování (RTP) a dalších procesech výroby polovodičů. Jeho výjimečné mechanické, chemické a tepelné vlastnosti z něj dělají ideální materiál pro pokročilé technologické aplikace, které vyžadují vysokou přesnost a odolnost.
Aplikace CVD Bulk SiC:Hromadný SiC je klíčový v polovodičovém průmyslu, zejména v systémech plazmového leptání, kde součásti jako ohniskové kroužky, plynové sprchové hlavice, okrajové kroužky a desky těží z vynikající odolnosti SiC proti korozi a tepelné vodivosti. Jeho použití sahá až doRTPsystémy díky schopnosti SiC odolávat rychlým teplotním výkyvům bez významné degradace.
Kromě vybavení pro leptání, CVDhromadný SiCje upřednostňován v difuzních pecích a procesech růstu krystalů, kde je vyžadována vysoká tepelná stabilita a odolnost vůči drsnému chemickému prostředí. Tyto vlastnosti činí SiC materiálem volby pro vysoce náročné aplikace zahrnující vysoké teploty a korozivní plyny, jako jsou plyny obsahující chlór a fluor.
Výhody CVD Bulk SiC Components:
•Vysoká hustota:S hustotou 3,2 g/cm³,CVD hromadný SiCkomponenty jsou vysoce odolné proti opotřebení a mechanickému namáhání.
•Vynikající tepelná vodivost:Objemový SiC, který nabízí tepelnou vodivost 300 W/m·K, efektivně řídí teplo, takže je ideální pro součásti vystavené extrémním tepelným cyklům.
•Výjimečná chemická odolnost:Nízká reaktivita SiC s leptacími plyny, včetně chemikálií na bázi chlóru a fluoru, zajišťuje prodlouženou životnost součástí.
•Nastavitelný odpor: CVD hromadné SiCměrný odpor lze přizpůsobit v rozsahu 10⁻²–10⁴ Ω-cm, díky čemuž je přizpůsobitelný specifickým potřebám leptání a výroby polovodičů.
•Koeficient tepelné roztažnosti:S koeficientem tepelné roztažnosti 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C) odolává CVD objemový SiC tepelným šokům a zachovává si rozměrovou stabilitu i během rychlých cyklů ohřevu a chlazení.
•Trvanlivost v plazmě:Vystavení plazmě a reaktivním plynům je v polovodičových procesech nevyhnutelné, aleCVD hromadný SiCnabízí vynikající odolnost proti korozi a degradaci, snižuje četnost výměn a celkové náklady na údržbu.
Technické specifikace:
•Průměr:Větší než 305 mm
•Odpor:Nastavitelné v rozsahu 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Hustota:3,2 g/cm³
•Tepelná vodivost:300 W/m·K
•Koeficient tepelné roztažnosti:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C)
Přizpůsobení a flexibilita:NaSemicera Semiconductor, chápeme, že každá polovodičová aplikace může vyžadovat různé specifikace. To je důvod, proč jsou naše komponenty CVD hromadné SiC plně přizpůsobitelné, s nastavitelným odporem a přizpůsobenými rozměry tak, aby vyhovovaly potřebám vašeho zařízení. Ať už optimalizujete své systémy plazmového leptání nebo hledáte odolné komponenty pro RTP nebo difúzní procesy, naše CVD hromadné SiC poskytuje bezkonkurenční výkon.
