Popis
CVD-SiC povlakmá vlastnosti jednotné struktury, kompaktního materiálu, vysoké teplotní odolnosti, odolnosti proti oxidaci, vysoké čistoty, odolnosti vůči kyselinám a zásadám a organického činidla, se stabilními fyzikálními a chemickými vlastnostmi.
Ve srovnání s vysoce čistými grafitovými materiály začíná grafit oxidovat při 400 °C, což způsobí ztrátu prášku v důsledku oxidace, což má za následek znečištění životního prostředí periferních zařízení a vakuových komor a zvýšení nečistot ve vysoce čistém prostředí.
Však,SiC povlakmůže udržovat fyzikální a chemickou stabilitu při 1600 stupních, je široce používán v moderním průmyslu, zejména v polovodičovém průmyslu.
Hlavní vlastnosti
1 .Vysoce čistý grafit potažený SiC
2. Vynikající tepelná odolnost a tepelná rovnoměrnost
3. DobřeKrystalový povlak SiCpro hladký povrch
4. Vysoká odolnost proti chemickému čištění
Hlavní specifikace povlaků CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Hustota | (g/cc) | 3.21 |
| Pevnost v ohybu | (Mpa) | 470 |
| Tepelná roztažnost | (10-6/K) | 4 |
| Tepelná vodivost | (W/mK) | 300 |
Balení a expedice
Schopnost zásobování:
10 000 kusů/kusů za měsíc
Balení a doručení:
Balení: Standardní a silné balení
Poly bag + krabice + karton + paleta
Přístav:
Ningbo/Shenzhen/Šanghaj
Dodací lhůta:
| Množství (kusy) | 1 – 1000 | >1000 |
| Odhad. čas (dny) | 30 | K vyjednávání |
