Popis
Naše společnost poskytuje služby procesu povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu povlakovaných materiálů, tvoří ochrannou vrstvu SIC.
Hlavní vlastnosti
1 .Vysoce čistý grafit potažený SiC
2. Vynikající tepelná odolnost a tepelná rovnoměrnost
3. Jemný krystal SiC potažený pro hladký povrch
4. Vysoká odolnost proti chemickému čištění
Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD | ||
Krystalová struktura | FCC β fáze | |
Hustota | g/cm³ | 3.21 |
Tvrdost | Tvrdost podle Vickerse | 2500 |
Velikost zrna | μm | 2~10 |
Chemická čistota | % | 99,99995 |
Tepelná kapacita | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Teplota sublimace | ℃ | 2700 |
Felexurální síla | MPa (RT 4-bodové) | 415 |
Youngův modul | Gpa (4pt ohyb, 1300℃) | 430 |
Tepelná roztažnost (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Tepelná vodivost | (W/mK) | 300 |