Popis
TheSusceptory z karbidu křemíku (SiC).for MOCVD od semicera jsou navrženy pro pokročilé epitaxní procesy a nabízejí vynikající výkon pro obaSi EpitaxeaSiC epitaxeaplikací. Inovativní přístup společnosti Semicera zajišťuje, že tyto susceptory jsou odolné a účinné a poskytují stabilitu a přesnost pro kritické výrobní operace.
Navrženo tak, aby podporovalo složité potřebySusceptor MOCVDsystémy jsou tyto produkty všestranné a kompatibilní s nosiči jako PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier a RTP Carrier. Díky své flexibilitě jsou vhodné pro high-tech průmysl, včetně těch, se kterými pracujíLED epitaxníSusceptor a monokrystalický křemík.
Díky mnoha konfiguracím, včetně Barrel Susceptor a Pancake Susceptor, jsou tyto waferové susceptory také nezbytné ve fotovoltaickém sektoru a podporují výrobu fotovoltaických dílů. Pro výrobce polovodičů je díky schopnosti zpracovat GaN na SiC Epitaxy procesy tyto susceptory vysoce cenné pro zajištění vysoce kvalitního výstupu v široké škále aplikací.
Hlavní vlastnosti
1 .Vysoce čistý grafit potažený SiC
2. Vynikající tepelná odolnost a tepelná rovnoměrnost
3. DobřeKrystalový povlak SiCpro hladký povrch
4. Vysoká odolnost proti chemickému čištění
Hlavní specifikace povlaků CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Hustota | (g/cc) | 3.21 |
| Pevnost v ohybu | (Mpa) | 470 |
| Tepelná roztažnost | (10-6/K) | 4 |
| Tepelná vodivost | (W/mK) | 300 |
Balení a expedice
Schopnost zásobování:
10 000 kusů/kusů za měsíc
Balení a doručení:
Balení: Standardní a silné balení
Poly bag + krabice + karton + paleta
Přístav:
Ningbo/Shenzhen/Šanghaj
Dodací lhůta:
| Množství (kusy) | 1-1000 | >1000 |
| Odhad. čas (dny) | 30 | K vyjednávání |
