SOI křemík na izolátoru

Krátký popis:

Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) poskytuje výjimečnou elektrickou izolaci a výkon pro pokročilé polovodičové aplikace. Tyto wafery jsou navrženy pro vynikající tepelnou a elektrickou účinnost a jsou ideální pro vysoce výkonné integrované obvody. Vyberte si Semicera pro kvalitu a spolehlivost technologie SOI wafer.


Detail produktu

Štítky produktu

Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) je navržen tak, aby poskytoval vynikající elektrickou izolaci a tepelný výkon. Tato inovativní struktura waferu s křemíkovou vrstvou na izolační vrstvě zajišťuje zvýšený výkon zařízení a nižší spotřebu energie, díky čemuž je ideální pro různé high-tech aplikace.

Naše wafery SOI nabízejí výjimečné výhody pro integrované obvody tím, že minimalizují parazitní kapacitu a zlepšují rychlost a efektivitu zařízení. To je zásadní pro moderní elektroniku, kde je vysoký výkon a energetická účinnost zásadní pro spotřebitelské i průmyslové aplikace.

Semicera využívá pokročilé výrobní techniky k výrobě SOI waferů s konzistentní kvalitou a spolehlivostí. Tyto destičky poskytují vynikající tepelnou izolaci, díky čemuž jsou vhodné pro použití v prostředích, kde je problémem rozptyl tepla, jako jsou elektronická zařízení s vysokou hustotou a systémy řízení spotřeby.

Použití SOI waferů při výrobě polovodičů umožňuje vývoj menších, rychlejších a spolehlivějších čipů. Závazek společnosti Semicera k přesnému inženýrství zajišťuje, že naše destičky SOI splňují vysoké standardy požadované pro špičkové technologie v oborech, jako jsou telekomunikace, automobilový průmysl a spotřební elektronika.

Volba SOI Wafer společnosti Semicera znamená investici do produktu, který podporuje rozvoj elektronických a mikroelektronických technologií. Naše destičky jsou navrženy tak, aby poskytovaly zvýšený výkon a odolnost, přispívaly k úspěchu vašich high-tech projektů a zajistily, že zůstanete v popředí inovací.

Položky

Výroba

Výzkum

Dummy

Parametry krystalu

Polytyp

4H

Chyba orientace povrchu

<11-20 >4±0,15°

Elektrické parametry

Dopant

dusík typu n

Odpor

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanické parametry

Průměr

150,0 ± 0,2 mm

Tloušťka

350±25 μm

Primární orientace bytu

[1-100]±5°

Primární plochá délka

47,5±1,5mm

Vedlejší byt

Žádný

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Luk

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Přední (Si-face) drsnost (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktura

Hustota mikrotrubek

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kovové nečistoty

≤5E10 atomů/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Přední kvalita

Přední

Si

Povrchová úprava

Si-face CMP

Částice

≤60 ea/wafer (velikost ≥0,3μm)

NA

Škrábance

≤5 ea/mm. Kumulativní délka ≤ Průměr

Kumulativní délka≤2*Průměr

NA

Pomerančová kůra / důlky / skvrny / pruhy / praskliny / kontaminace

Žádný

NA

Hranové třísky/prohlubně/lomy/šestihranné desky

Žádný

Polytypové oblasti

Žádný

Kumulativní plocha ≤ 20 %

Kumulativní plocha ≤ 30 %

Přední laserové značení

Žádný

Zpět Kvalita

Zadní úprava

C-face CMP

Škrábance

≤5 ea/mm, Kumulativní délka ≤2*Průměr

NA

Vady na zadní straně (oděrky na hranách/prohlubně)

Žádný

Drsnost zad

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Zadní laserové značení

1 mm (od horního okraje)

Okraj

Okraj

Zkosení

Obal

Obal

Epi-ready s vakuovým balením

Multi-wafer kazetové balení

*Poznámky: "NA" znamená bez požadavku. Položky, které nejsou uvedeny, mohou odkazovat na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC oplatky

  • Předchozí:
  • Další: