Jako jedna ze základních složekZařízení MOCVD, grafitový základ je nosné a topné těleso substrátu, které přímo určuje stejnoměrnost a čistotu filmového materiálu, takže jeho kvalita přímo ovlivňuje přípravu epitaxního listu a zároveň s nárůstem počtu použití a změnou pracovních podmínek se velmi snadno nosí, patří mezi spotřební materiál.
Ačkoli má grafit vynikající tepelnou vodivost a stabilitu, má dobrou výhodu jako základní složkaZařízení MOCVD, ale ve výrobním procesu bude grafit korodovat prášek v důsledku zbytků korozivních plynů a kovových organických látek a životnost grafitové základny se výrazně zkrátí.Padající grafitový prášek zároveň způsobí znečištění čipu.
Vznik technologie povlakování může zajistit povrchovou fixaci prášku, zvýšit tepelnou vodivost a vyrovnat distribuci tepla, což se stalo hlavní technologií pro řešení tohoto problému.Grafitová základna vZařízení MOCVDprostředí použití, grafitový základní povrchový nátěr by měl splňovat následující vlastnosti:
(1) Grafitová základna může být plně zabalena a hustota je dobrá, jinak grafitová základna snadno zkoroduje v korozivním plynu.
(2) Kombinační pevnost s grafitovým základem je vysoká, aby bylo zajištěno, že povlak nebude snadno spadnout po několika cyklech vysoké a nízké teploty.
(3) Má dobrou chemickou stabilitu, aby se zabránilo selhání povlaku při vysoké teplotě a korozivní atmosféře.
SiC má výhody odolnosti proti korozi, vysoké tepelné vodivosti, odolnosti proti tepelným šokům a vysoké chemické stabilitě a může dobře fungovat v epitaxní atmosféře GaN.Kromě toho se koeficient tepelné roztažnosti SiC velmi málo liší od koeficientu grafitu, takže SiC je preferovaným materiálem pro povrchovou úpravu grafitové báze.
V současné době je běžný SiC hlavně typu 3C, 4H a 6H a použití SiC různých typů krystalů je různé.Například 4H-SiC může vyrábět vysoce výkonná zařízení;6H-SiC je nejstabilnější a může vyrábět fotoelektrická zařízení;Vzhledem ke své podobné struktuře jako GaN lze 3C-SiC použít k výrobě epitaxní vrstvy GaN a výrobě SiC-GaN RF zařízení.3C-SiC je také běžně známý jakoβ-SiC a důležité použitíβ-SiC je jako film a povlakový materiál, takβ-SiC je v současnosti hlavním materiálem pro povlakování.
Čas odeslání: List-06-2023