Proces s povlakem SiC pro grafitové nosiče s povlakem SiC

Při aplikaci dodržujeme velmi úzké toleranceSiC povlaks použitím vysoce přesného obrábění pro zajištění jednotného profilu susceptoru.Vyrábíme také materiály s ideálními vlastnostmi elektrického odporu pro použití v indukčně vyhřívaných systémech.Všechny hotové komponenty jsou dodávány s certifikátem čistoty a rozměrové shody.

Naše společnost poskytujeSiC povlakprocesní služby metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu potažených materiálů, tvořících ochrannou vrstvu SIC.Vytvořený SIC je pevně spojen s grafitovou základnou, což dává grafitové základně speciální vlastnosti, díky čemuž je povrch grafitu kompaktní, bez pórovitosti, odolnost proti vysokým teplotám, odolnost proti korozi a odolnost proti oxidaci.

Proces CVD poskytuje extrémně vysokou čistotu a teoretickou hustotuSiC povlakbez poréznosti.A co víc, protože karbid křemíku je velmi tvrdý, lze jej vyleštit do zrcadlového povrchu.CVD povlak z karbidu křemíku (SiC).přineslo několik výhod včetně ultra vysoké čistoty povrchu a extrémní odolnosti proti opotřebení.Protože potažené produkty mají skvělý výkon ve vysokém vakuu a vysoké teplotě, jsou ideální pro aplikace v polovodičovém průmyslu a jiném ultračistém prostředí.Poskytujeme také produkty z pyrolytického grafitu (PG).