Epitaxe GaN na bázi křemíku

Krátký popis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je předním dodavatelem pokročilé polovodičové keramiky a jediným výrobcem v Číně, který může současně poskytovat vysoce čistou keramiku z karbidu křemíku (zejménaRekrystalizováno SiC) a CVD SiC povlak. Kromě toho se naše společnost věnuje také keramickým polím, jako je oxid hlinitý, nitrid hliníku, oxid zirkoničitý a nitrid křemíku atd.

 

Detail produktu

Štítky produktu

Popis produktu

Naše společnost poskytujeSiC povlakprocesní služby metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů, takže speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu potažených materiálů, formováníSIC ochranná vrstva.

Hlavní vlastnosti:

1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:

odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

 

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD

Krystalová struktura

FCC β fáze

Hustota

g/cm³

3.21

Tvrdost

Tvrdost podle Vickerse

2500

Velikost zrna

μm

2~10

Chemická čistota

%

99,99995

Tepelná kapacita

J·kg-1 ·K-1

640

Teplota sublimace

2700

Felexurální síla

MPa (RT 4-bodové)

415

Youngův modul

Gpa (4pt ohyb, 1300℃)

430

Tepelná roztažnost (CTE)

10-6K-1

4.5

Tepelná vodivost

(W/mK)

300

未标题-1
17
211
Semicera Pracovní místo
Semicera pracoviště 2
Zařízení stroje
CNN zpracování, chemické čištění, CVD povlak
Naše služba

  • Předchozí:
  • Další: