ČÁST 1
Kelímek, držák semen a vodicí kroužek v monokrystalické peci SiC a AIN byly pěstovány metodou PVT
Jak je znázorněno na obrázku 2 [1], když se k přípravě SiC použije fyzikální metoda transportu par (PVT), očkovací krystal je v oblasti relativně nízké teploty, surovina SiC je v oblasti relativně vysoké teploty (nad 2400℃), a surovina se rozkládá na SiXCy (hlavně včetně Si, SiC₂, Si₂C, atd.).Materiál v parní fázi je transportován z oblasti vysoké teploty do zárodečného krystalu v oblasti nízké teploty, fvytváření zárodečných jader, růst a generování monokrystalů.Materiály tepelného pole použité v tomto procesu, jako je kelímek, vodicí kroužek toku, držák zárodečných krystalů, by měly být odolné vůči vysoké teplotě a neznečišťují suroviny SiC a monokrystaly SiC.Podobně topné prvky při růstu monokrystalů AlN musí být odolné vůči páře Al, N₂korozi a musí mít vysokou eutektickou teplotu (s AlN) ke zkrácení doby přípravy krystalu.
Bylo zjištěno, že SiC[2-5] a AlN[2-3] připravenéPotaženo TaCgrafitové materiály tepelného pole byly čistší, téměř bez uhlíku (kyslík, dusík) a jiných nečistot, méně defektů na hranách, menší měrný odpor v každé oblasti a hustota mikropórů a hustota leptacích jamek byly výrazně sníženy (po leptání KOH) a kvalita krystalů se výrazně zlepšila.navícTaC kelímekmíra ztráty hmotnosti je téměř nulová, vzhled je nedestruktivní, lze jej recyklovat (životnost až 200 h), může zlepšit udržitelnost a účinnost takového monokrystalického přípravku.
OBR.2. (a) Schéma zařízení pro pěstování monokrystalických ingotů SiC metodou PVT
(b) NahořePotaženo TaCdržák osiva (včetně osiva SiC)
(C)Grafitový vodicí kroužek potažený TAC
ČÁST 2
Ohřívač s epitaxní vrstvou MOCVD GaN
Jak je znázorněno na obrázku 3 (a), růst MOCVD GaN je technologie chemické depozice z plynné fáze využívající organometrické rozkladné reakce k růstu tenkých filmů epitaxním růstem v parách.Přesnost teploty a rovnoměrnost v dutině činí z ohřívače nejdůležitější základní součást zařízení MOCVD.Zda lze substrát rychle a rovnoměrně zahřívat po dlouhou dobu (při opakovaném ochlazování), stabilita při vysoké teplotě (odolnost plynové korozi) a čistota filmu přímo ovlivní kvalitu nanášení filmu, konzistenci tloušťky, a výkon čipu.
Aby se zlepšil výkon a recyklační účinnost ohřívače v systému růstu MOCVD GaN,Potaženo TACbyl úspěšně zaveden grafitový ohřívač.Ve srovnání s GaN epitaxní vrstvou pěstovanou konvenčním ohřívačem (s použitím pBN povlaku), GaN epitaxní vrstva pěstovaná TaC ohřívačem má téměř stejnou krystalovou strukturu, stejnoměrnost tloušťky, vnitřní defekty, dopování nečistot a kontaminaci.Kromě toho,TaC povlakmá nízký měrný odpor a nízkou povrchovou emisivitu, což může zlepšit účinnost a rovnoměrnost ohřívače, a tím snížit spotřebu energie a tepelné ztráty.Pórovitost povlaku lze upravit řízením parametrů procesu pro další zlepšení radiačních charakteristik ohřívače a prodloužení jeho životnosti [5].Tyto výhody dělajíPotaženo TaCgrafitové ohřívače jsou vynikající volbou pro růstové systémy MOCVD GaN.
OBR.3. (a) Schéma zařízení MOCVD pro epitaxní růst GaN
(b) Lisovaný grafitový ohřívač potažený TAC nainstalovaný v nastavení MOCVD, s výjimkou základny a držáku (ilustrace zobrazující základnu a držák v topení)
(c) TAC-potažený grafitový ohřívač po 17 GaN epitaxním růstu.[6]
ČÁST/3
Potažený susceptor pro epitaxi (nosič plátku)
Nosič plátku je důležitou strukturní složkou pro přípravu SiC, AlN, GaN a dalších polovodičových plátků třetí třídy a epitaxní růst plátků.Většina nosičů destiček je vyrobena z grafitu a potažena povlakem SiC, aby odolala korozi z procesních plynů, s epitaxním teplotním rozsahem 1100 až 1600°C a odolnost ochranného povlaku proti korozi hraje zásadní roli v životnosti nosiče destičky.Výsledky ukazují, že rychlost koroze TaC je 6krát pomalejší než u SiC ve vysokoteplotním čpavku.Ve vysokoteplotním vodíku je rychlost koroze dokonce více než 10krát pomalejší než u SiC.
Experimenty bylo prokázáno, že misky pokryté TaC vykazují dobrou kompatibilitu v procesu modrého světla GaN MOCVD a nezanášejí nečistoty.Po omezených úpravách procesu vykazují LED vypěstované pomocí nosičů TaC stejný výkon a jednotnost jako konvenční nosiče SiC.Životnost palet s povrchovou úpravou TAC je proto lepší než životnost inkoustu s holým kamenemS povlakem SiCgrafitové palety.
Čas odeslání: březen-05-2024