Porézní karbid tantalu, materiál horkého pole pro růst krystalů SiC

Stručný popis:

Porézní karbid tantalu se používá hlavně pro filtraci komponent v plynné fázi, úpravu místního teplotního gradientu, vedení směru toku materiálu, kontrolu netěsností atd. Lze jej použít s jiným pevným karbidem tantalu (kompaktní) nebo povlakem z karbidu tantalu od Semicera Technology k vytvoření lokálních komponent s různou průtokovou vodivostí.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Semicera Semicera poskytuje specializované povlaky z karbidu tantalu (TaC) pro různé součásti a nosiče.Semicera Semicera vedoucí proces povlakování umožňuje povlakům z karbidu tantalu (TaC) dosáhnout vysoké čistoty, vysoké teplotní stability a vysoké chemické tolerance, což zlepšuje kvalitu produktu krystalů SIC/GAN a vrstev EPI (TaC susceptor potažený grafitem) a prodloužení životnosti klíčových součástí reaktoru.Použití povlaku karbidu tantalu TaC má vyřešit problém hran a zlepšit kvalitu růstu krystalů a Semicera Semicera průlom vyřešila technologii povlakování karbidu tantalu (CVD), čímž dosáhla mezinárodní pokročilé úrovně.

Po letech vývoje si Semicera podmanila technologiiCVD TaCspolečným úsilím oddělení výzkumu a vývoje.Vady se snadno vyskytnou v procesu růstu SiC waferů, ale po použitíTaC, rozdíl je značný.Níže je srovnání destiček s a bez TaC, stejně jako dílů Simicera pro růst monokrystalů

Tac část pro růst monokrystalu

Povlak z karbidu tantalu proti opotřebení_ Chrání zařízení před opotřebením a korozí Doporučený obrázek

Grafit s kroužkem potaženým TaC

s a bez TaC

Po použití TaC (vpravo)

Kromě toho je životnost povlakových produktů Semicera TaC delší a odolnější vůči vysokým teplotám než u povlaků SiC.Po dlouhé době laboratorních naměřených dat může náš TaC pracovat po dlouhou dobu při maximálně 2300 stupních Celsia.Níže jsou uvedeny některé z našich vzorků: