【 Souhrnný popis 】 V moderních C, N, B a dalších neoxidových high-tech žáruvzdorných surovinách, sintrovaných za atmosférického tlakukarbid křemíkuje rozsáhlý a ekonomický a dá se říci, že jde o smirkový nebo žáruvzdorný písek.Čistýkarbid křemíkuje bezbarvý průhledný krystal.Jaká je tedy struktura materiálu a vlastnostikarbid křemíku?
Struktura materiálu spékaného za atmosférického tlakukarbid křemíku:
Atmosférický tlak se sintrovalkarbid křemíkuv průmyslu se používá světle žlutá, zelená, modrá a černá podle druhu a obsahu nečistot, přičemž čistota je různá a průhlednost je různá.Krystalová struktura karbidu křemíku je rozdělena na šestislovné nebo kosočtvercové plutonium a kubické plutonium-sic.Plutonium-sic vytváří různé deformace v důsledku různého uspořádání atomů uhlíku a křemíku v krystalové struktuře a bylo nalezeno více než 70 druhů deformací.beta-SIC přechází na alfa-SIC nad 2100. Průmyslový proces karbidu křemíku je rafinován vysoce kvalitním křemenným pískem a ropným koksem v odporové peci.Rafinované bloky karbidu křemíku jsou drceny, acidobazickým čištěním, magnetickou separací, proséváním nebo selekcí vody k výrobě různých produktů o velikosti částic.
Materiálové charakteristiky atmosférického tlakuslinutý karbid křemíku:
Karbid křemíku má dobrou chemickou stabilitu, tepelnou vodivost, koeficient tepelné roztažnosti, odolnost proti opotřebení, takže kromě abrazivního použití existuje mnoho použití: Například prášek karbidu křemíku je potažen na vnitřní stěnu oběžného kola turbíny nebo bloku válců speciální proces, který může zlepšit odolnost proti opotřebení a prodloužit životnost 1 až 2 krát.Vyrobeno z tepelně odolných, malých rozměrů, nízké hmotnosti, vysoké pevnosti z vysoce kvalitních žáruvzdorných materiálů, energetická účinnost je velmi dobrá.Nízkohodnotný karbid křemíku (včetně asi 85 % SiC) je vynikající dezoxidant pro zvýšení rychlosti výroby oceli a snadnou kontrolu chemického složení pro zlepšení kvality oceli.Kromě toho se slinutý karbid křemíku za atmosférického tlaku také široce používá při výrobě elektrických částí křemíkových uhlíkových tyčí.
Karbid křemíku je velmi tvrdý.Tvrdost Morse je 9,5, druhý po světovém tvrdém diamantu (10), je polovodič s vynikající tepelnou vodivostí, odolává oxidaci při vysokých teplotách.Karbid křemíku má nejméně 70 krystalických typů.Plutonium-karbid křemíku je běžný izomer, který se tvoří při teplotách nad 2000 a má hexagonální krystalickou strukturu (podobně jako wurtzit).Slinutý karbid křemíku za atmosférického tlaku
Aplikacekarbid křemíkuv polovodičovém průmyslu
Řetězec průmyslu polovodičů z karbidu křemíku zahrnuje hlavně vysoce čistý prášek karbidu křemíku, monokrystalický substrát, epitaxní fólie, napájecí komponenty, balení modulů a terminálové aplikace.
1. Monokrystalový substrát Monokrystalový substrát je polovodičový nosný materiál, vodivý materiál a substrát pro epitaxní růst.V současnosti metody růstu monokrystalu SiC zahrnují fyzikální metodu přenosu par (metoda PVT), metodu kapalné fáze (metoda LPE) a metodu vysokoteplotní chemické depozice z par (metoda HTCVD).Slinutý karbid křemíku za atmosférického tlaku
2. Epitaxní fólie Epitaxní fólie z karbidu křemíku, fólie z karbidu křemíku, monokrystalický film (epitaxiální vrstva) se stejným směrem jako krystal substrátu, který má určité požadavky na substrát z karbidu křemíku.V praktických aplikacích jsou polovodičová zařízení se širokým pásmem téměř všechna vyráběna v epitaxní vrstvě a samotný křemíkový čip se používá pouze jako substrát, včetně substrátu epitaxní vrstvy GaN.
3. Vysoce čistý prášek karbidu křemíku Vysoce čistý prášek karbidu křemíku je surovinou pro růst monokrystalu karbidu křemíku metodou PVT a čistota produktu přímo ovlivňuje kvalitu růstu a elektrické vlastnosti monokrystalu karbidu křemíku.
4. Výkonové zařízení je širokopásmový výkon vyrobený z materiálu karbidu křemíku, který má vlastnosti vysoké teploty, vysoké frekvence a vysoké účinnosti.Napájecí zařízení SiC obsahuje podle provozní formy zařízení především výkonovou diodu a trubici výkonového spínače.
5. Terminál V polovodičových aplikacích třetí generace mají polovodiče z karbidu křemíku výhodu, že jsou komplementární k polovodičům z nitridu galia.Vzhledem k vysoké účinnosti konverze, nízkým charakteristikám ohřevu, nízké hmotnosti a dalším výhodám SiC zařízení se poptávka navazujícího průmyslu stále zvyšuje a existuje trend nahrazovat SiO2 zařízení.
Čas odeslání: 16. října 2023