Polovodičový monokrystalický křemíkový epitaxní disk potažený SiC

Stručný popis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je předním dodavatelem specializujícím se na wafery a pokročilé polovodičové spotřební materiály.Jsme odhodláni poskytovat vysoce kvalitní, spolehlivé a inovativní produkty pro výrobu polovodičů,fotovoltaický průmysla další související obory.

Naše produktová řada zahrnuje grafitové produkty potažené SiC/TaC a keramické produkty, zahrnující různé materiály, jako je karbid křemíku, nitrid křemíku a oxid hlinitý atd.

Jako důvěryhodný dodavatel chápeme důležitost spotřebního materiálu ve výrobním procesu a jsme odhodláni dodávat produkty, které splňují nejvyšší standardy kvality, aby vyhovovaly potřebám našich zákazníků.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Popis

Naše společnost poskytujeSiC povlakprocesní služby metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů, takže speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu potažených materiálů, formováníSIC ochranná vrstva.

Monokrystalická silikonová epitaxní fólie

Hlavní rysy

1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:
odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.
2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.
3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.
4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD
Krystalická struktura	FCC β fáze
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdost	Tvrdost podle Vickerse	2500
Velikost zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99,99995
Tepelná kapacita	J·kg-1 ·K-1	640
Teplota sublimace	℃	2700
Felexurální síla	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngův modul	Gpa (4pt ohyb, 1300℃)	430
Tepelná expanze (CTE)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivost	(W/mK)	300